平旦，辽被甲持戟，先登陷陈，杀数十人，斩二将，大呼自名，冲垒入，至权麾下。权大惊，众不知所为，走登高冢，以长戟自守。辽叱权下战，权不敢动，望见辽所将众少，乃聚围辽数重。辽左右麾围，直前急击，围开，辽将麾下数十人得出，馀众号呼曰：“将军弃我乎！”辽复还突围，拔出馀众。权人马皆披靡，无敢当者。 - 《三国志·魏书·张辽传》
张辽作风骁勇，在上述威震逍遥津的事迹中，虽自己已突围，但因部下的呼号求救，不惜自己生命也要折返回去救部下。此刻，男人间的浪漫展露无遗，可谓是真正的勇士，豪气干云，气盖江东。
在防护领域，根据钳位特性的表现，有一种TVS管与常规管不同。如同张辽折返回去救人一样，该管子亦具有骤回（也叫转折、折返、Snap back，各家命名不一，但本质相同）的特性。
由此称为骤回TVS，它具有负阻转折的特性，带来钳位电压Vc的优化。一些骤回TVS还具有超低电容特性，因此适用于高频信号线路保护。
为了讲清楚骤回TVS管，需要先从常规TVS管说起。
常规TVS管
如下图，常规TVS管是按照一定斜率（与二极管动态电阻RDYN有关）画出的曲线。从击穿电压VBR处（对应于二级管雪崩电压）开始着手钳位，钳位电压Vc = VBR + RDYN * IPP给出，这里IPP为峰值脉冲电流。
骤回TVS管原理
而带有骤回（Snap back）功能的TVS管，具有先触发后回落的特性。
如下图右图所示，当电压达到触发电压（VTRIG，Vtr）后，电压会立即降低，变为保持电压（VHOLD，Vh）。此时，Vc= Vh + RDYN * IPP。可见钳位后的电压降低（甚至低于击穿电压VBR），防护性能变好，能更有效地应对剧烈的电压瞬变。
常规TVS管为基于反向击穿（齐纳击穿或雪崩击穿）原理的PN结或PN结阵列；而Snap back管基于负阻特性（正反馈特性），以可控硅（SCR，Silicon controlled rectifier）原理的Snap back管为例，其结构如下图：
Anode接信号端口，Cathode连接GND。当Anode遭受ESD/EOS冲击时，NW/PW结被击穿，晶体管NPN和PNP同时导通。随后晶体管NPN和PNP进入放大状态，由于βPNP* βNPN≥1，便形成了正反馈，呈现出大骤回特性。
上面只列出了一种基于SCR结构的大骤回，实际上业界还有小骤回TVS，不详述。
骤回TVS管注意事项
- 骤回管不建议用于电源线上，避免出现闩锁（异常高压消失后，器件不可自动恢复到高阻状态了，像是被锁住了）。如果一定要用，要保证TVS的Vhold大于电源电压。
- 要注意骤回TVS管的VTRIG能否被正常触发，比如在手机项目上，有的骤回TVS放在主板上，与放在小板相比，中间经过了FPC的走线，而FPC走线带有阻抗，不容易触发VTRIG！
- 尽量靠近需要保护的端口或芯片放置，以减小寄生参数的影响。使用短而粗的走线，确保浪涌电流有低阻抗的泄放路径。
总之，骤回TVS适用于处理短暂的能量脉冲的场景，在脉冲结束后能依靠电流归零而复位。
而对于电源线场景，在电压超过击穿点后，骤回TVS阻抗急剧下降，TVS电压会回落并维持在一个更低的值，直到电流降低到阈值（维持电流, Ih）以下才能恢复，但骤回TVS把自身的电压弄低了，所以易有大电流在维持，便不容易恢复，如同英雄困在敌营般。如果电源不能限流或故障电压持续存在，器件可能无法回到高阻抗状态，导致持续短路而最终烧毁。
骤回TVS管波形实测
如下图，通过1R电阻搭配骤回TVS，摸底曲线，能明显看到波形上的骤回表现。
