《孙子兵法》有云：“兵者，国之大事，死生之地，存亡之道，不可不察也。故经之以五事，极之以计而索其情：一曰道，二曰天，三曰地，四曰将，五曰法。”
“天者，阴阳、寒暑、时制也”，其中阴阳指的是晴雨、昼夜等变化。
战争不仅仅是钢铁与意志的碰撞，血与火的征服与掠夺，环境亦是其中一个微观但不可或缺的因素。它从战术、后勤、兵员健康和装备维护等多个维度影响着战争的进程和结局。
反应到手机行业这里：风云变幻，烽火连天，你方唱罢我登场，竞争（战争）不可谓不激烈。有的公司在功能机时代如日中天，才情尽显，却身死国灭；有的公司执智能手机发展的牛耳，尽显创始人的雄心，却天妒英才，因病离世；有的公司有营销之能、油头粉面，赚的盆满钵满，却难掩技术上的短板。
或许你的参数是最牛的，feature是最顶的，但为什么体验不佳，质量就是做不起来？售后数据不会骗人。
你可以把自己想象成一个手机，当通过Type-C口举头望向天空时，除了会有雷电（插拔动作带来的ESD），也可能下雨（日常使用的进水）。
那Type-C口进水会怎么样呢？会不会暗藏杀机呢？
防护背景
因为Type-C CC管脚带电的原因，在进水后容易发生电化学反应，导致管脚的腐蚀。表现为手机刚买回来不久便无法充电；或者不停的断充；或者单面能快充，另外一面却失掉快充；或者OTG功能无法使用。
防护方案
手机中的Type-C口，容易因进液而发生电化学腐蚀，因此要做进液防护，有一种流派是把进液检测功能做在Type-C的VBUS脚上。
以NXP公司的某款OVP芯片为例，该芯片集成了进水检测功能，并且是做在VIN管脚（VBUS）上。VIN管脚内部集成电流源，可实现对地阻抗检测，如下图。
如下图所示，NXP的OVP IC的阻抗检测会涉及到三个电阻：
- 第一个RSHORT，是Type-C口进液后，VBUS和GND之间的液体阻抗。
- 第二个ROVLO，为配置OVP过压阈值的电阻。
- 第三个RUVLO，为芯片内部电阻。
因为三个电阻是并联关系，故总的电阻是𝑅𝐷𝐸𝑇𝐸𝐶𝑇 = 𝑅𝑆𝐻𝑂𝑅𝑇 // 𝑅𝑂𝑉𝐿𝑂 // 𝑅𝑈𝑉𝐿𝑂。我们关心的RSHORT信息被囊括在了𝑅𝐷𝐸𝑇𝐸𝐶𝑇中，但𝑅𝑂𝑉𝐿𝑂和𝑅𝑈𝑉𝐿𝑂通常是固定电阻，故该方案依旧可行。
在做检测时，恒流源Isource对𝑅𝐷𝐸𝑇𝐸𝐶𝑇充电，然后在VIN（VBUS）上生成电压，该电压可用式子𝑉𝐼𝑁 = 𝐼𝑠𝑜𝑢𝑟𝑐𝑒 ∗ 𝑅𝐷𝐸𝑇𝐸𝐶𝑇表示。但由于CIN电容的存在，VIN上的电压将缓慢上升，可用公式表示为:
随后，OVP IC内部集成了ADC，当检测到恒流源所生成的电压偏小时，便认为Type-C端口进液了。
如下图，可以以周期模式运行阻抗检测，可通过寄存器配置tduty和tdet，比如设置tduty为6S、tdet为1mS，则每隔6s检测一次VBUS对地阻抗，检测脉冲持续时间为1mS。
检测结果
当检测到阻抗值满足设定的阈值，则认为Type-C进液了，可在手机操作系统中通知用户清理液体，UI示意图如下图：
除了UI上的进液提醒，更为关键的是，此时也要将CC逻辑配置为UFP（内部CC脚5.1K下拉），这样电压为0V，便不带电了，便在一定程度上规避电化学腐蚀。当Type-C连接器被清洁干净后，系统检测到阻抗正常，CC逻辑自动恢复到DRP模式，由此度过了劫难，像凤凰涅槃重生一样。
NXP根据不同进液类型检测到的阻抗如下图，可供参考。
总结
在竞争中，细节很重要，质量才是最大的诚意，你产的手机能用多久，用户最终是知道的。他们能感知到真心实意，并将见证谁最终在裸泳。
