太后遂断戚夫人手足，去眼，煇耳，饮瘖药，使居厕中，命曰“人彘”。居数日，乃召孝惠帝观人彘。孝惠见，问，乃知其戚夫人，乃大哭，因病，岁馀不能起。使人请太后曰：“此非人所为。臣为太后子，终不能治天下”。 —《史记•吕太后本纪》
中国历史对往往女性不待见，但吕后却列在帝王本纪里，可见她曾真正掌握过权力。司马迁用“刚毅果敢”形容她的性格，坦率来说，其残暴事迹是权力对人性长期腐蚀异化的结果，而并非女性天生比男人狠毒。在权力的侵蚀下，男人的心狠手辣亦不遑多让。胡亥矫诏继位，一上位就屠戮兄弟二十余人；李隆基因怀疑儿子造反，一天处死三个儿子；至于朱元璋，为了朱家天下的长久，对昔日的功臣旧部，更是杀的人头滚滚。权力之下，人性沦丧，不分男女，皆可沦为撒旦的使者。
人可以是猴子，贪婪自私、等级森严、残虐族群，也可以以凡人之躯，比肩神明，显现人性光辉，一切只在你的选择。
负压防护背景
有没有想过，如果在Type-C口的VBUS线上施加负压，手机会怎么样呢？
如同中国古代不待见女性，在手机设计上，也不待见负电压，甚至视为洪水猛兽，必欲除之而后快。因为手机电路经过长期的发展，已形成正电压的生态，而负电压潜藏杀机，总结下来大致有如下危害：
- 负压能击穿半导体器件，芯片的引脚通常有内部的ESD保护二极管，当引脚电压低于GND时，保护二极管会正向导通，如果电流过大，会烧毁这个保护二极管。
- 负压传导到电源芯片后，有的芯片会进入不可预测的工作状态，从而导致功能模块（如摄像头、显示屏）失效。
- 除了芯片，某些电子元器件具有极性，如铝电解电容（用在手机充电器内部）、钽电解电容（早期的手机项目有用过）等：施加负压会导致其内部化学结构被破坏，轻则容量减小、漏电流增大，重则鼓包爆炸。
了解危害后，也需要知道这些负电压从何而来：
- ESD事件，静电放电瞬间产生极高负压（可达数千伏），如雷霆一击。
- 感性负载的反电动势，手机中带有线圈的部件，如马达、扬声器/听筒。当驱动电流突然关断时，线圈会产生一个反向电动势（负尖峰脉冲），如果缺乏续流二极管等保护措施，这个负脉冲就会窜入供电电源。
- 热插拔，USB接口等热插拔过程中，由于接触弹跳和线缆/走线寄生电感参数，也可能产生瞬间的负冲，即负向浪涌。
- VBUS短路，VBUS短路关断瞬间，因线缆寄生电感中存储的能量释放，VBUS上可能会出现负压。
负压防护也叫防反接电路，就像门卫一样防止坏人进入。手机VBUS防护设计包含了负压/负向浪涌防护设计，下面简单讲述下。
二极管负压防护
这是目前手机项目最常使用的方案。二极管向并联在VBUS上，当端口出现负压时，能把负压钳位在-0.7V（二极管导通压降，电流越大，该压降越大）。具体的二极管为TVS管和防烧MOS的体二极管。
有些手机项目为了进一步压制负压，提升负向浪涌能力，会使用肖特基二极管。因其具有更低的正向压降，它可以在其他二极管之前率先导通，压制负压。
下面显示VBUS对地短路时，有肖特基和没有肖特基的波形对比。可见没有肖特基时，VBUS上出现-2V的负压，并存在振荡；而有肖特基时，VBUS上的负压降低到-750mv，振荡也最小化。
请想象下，如果人为的给VBUS加一个负压，后果会怎么样呢？
如果你用的电源功率小，过流保护阈值小，那么二极管便会钳位，并让电源过流保护，此时手机不会坏；如果你用的电源功率大，过流保护阈值大，那么有可能烧毁二极管，彻底短路，此时手机便不能正常充电了；而最严重的情况，不带过流保护，那么手机有可能冒烟起火。
PMOS防反接电路
绿厂早期曾在VBUS口用过一颗PMOS来做防反接保护，如下图所示。
当VBUS为正时，PMOS的寄生二极管先导通，二极管导通后VS=VBUS-0.7V；VG=0V，因此VGS为一个负压，PMOS为负压导通器件，故PMOS导通，电路正常工作。
当VBUS为负时，PMOS的寄生二极管截止，VG=0V，VS=0V，VGS=0V，PMOS关断，阻断负压接入系统。
直充电路的防反接电路
如下图，反接时，USB_VCHR（VBUS）将为负压，那么下图中的防反接背靠背MOS将因为VGS>vth而导通，使得直充背靠背MOS的VGS=0，从而关断直充背靠背MOS，阻断负压。
防反接MOS之所以使用背靠背结构，是因为正常工作时要阻断VBUS的电压到达A点。
