季布弟季心，气盖关中，遇人恭谨，为任侠，方数千里，士皆争为之死。尝杀人，亡之吴，从袁丝匿。长事袁丝，弟畜灌夫、籍福之属。尝为中司马，中尉郅都不敢不加礼。少年多时时窃籍其名以行。当是时，季心以勇，季布以诺，著闻关中。 - 《史记·季布栾布列传》
史记中记载，作为两兄弟，季心以勇武果敢、季布以一诺千金，坚守古老的游侠价值观，闻名于关中地区。其实刘邦骨子里也是游侠，其少年时曾不远千里、中二般地去大梁祭祀信陵君，并在那结识了信陵君的门客，当时的游侠头目张耳。就算称帝后也去信陵君的坟地祭拜。季布曾是项羽帐下大将，刘邦后来原谅并重用他，也有英雄相惜的意味，同一种人么，有共同的偶像和行为准则，当然信得过。
至于后世那些为名声所累、营销见长，骨子里实为商人的“企业家”，在座的、好酒及色的诸位都比他三观正。
在手机产品开发过程中，偶尔会看到两颗MOS串联在一起使用的情形，像季布季心兄弟般，本文针对手机中双MOS串联的电路做个简单的梳理总结。
何为背靠背
提到背靠背，就得先解释为什么要背靠背，单颗MOS就不行吗，何必大费周章？
单颗MOS可谓是双向导通（MOS沟道是能够双向流通电流的），但单向关断，因为寄生二极管在作祟。而背靠背MOS可以实现双向开通、双向关断。
back to back，背对背，在结构上可把背靠背分为共源和共漏两种，两者在应用上没啥区别。
总结下，单MOS仅能够实现对直流信号（单向）的控制，不能对交流信号（双向）的控制，背对背MOS提高了控制的维度，能够实现对交流信号的控制（双向控制），使得开关特性类似于一个物理按键或者继电器。
无线充项目互斥开关
对于某些带有无线充电的项目，当有线充电和无线充电行为同时存在的时候，如果没有互斥电路防互灌，则像大水冲了龙王庙-自家人打自家人，可能会导致手机损坏或意想不到的故障。
利用背靠背MOS，可以防止有线充输入和无线充输入互灌。举例某款老手机架构如下图，当背靠背MOS关断时，左右两端是无法形成通路的，从而阻止互灌。
直充负载开关
绿厂早期所开发的VOOC直充，其负载开关就是用背靠背MOS做成的，可以防止VBAT对VBUS的倒灌。
为了驱动背靠背MOS，还辅助设计了倍压电路。A点，MCU的CLK_OUT输出频率为1MHz，占空比为50%的方波，电平大小约为VBAT（单片机由VBAT供电）。
方波为低时，USB_VCHR通过R2906、D2902给C2903充电，将C2903两端电压约充到VBUS；方波为高电平时，因为C2903电容两端电压不能突变，导致B点电压抬升，约抬升至VBUS+VBAT的电压。
B点电压再通过D2903进入RC电路（RC的时间常数远大于方波周期），随后变成平稳电压，约为7~8V。
综合下来MOS的VGS约为3~4V，便能正常开启或关断了。
audio开关
早些年，某些手机厂商在开发立体声功能时，想复用听筒。听筒的声音大一些，基本上就可以满足立体声的要求了。这便要求听筒同时具备听筒和外放两种模式，所以把原来的32Ω常规听筒变更为6Ω听筒，先增强其能力再说。
但外放模式和听筒模式的电流是不一样的，外放的声音大，驱动电流大；作为听筒的时候声音小，驱动电流小，那么如何兼容这两种模式呢？
有的厂商用一个背靠背MOS开关做路径切换，如下图，外放模式（上扬）直接走开关，听筒模式则串联一个数十欧姆的电阻，人为地增大阻抗，降低电流，声音做小。
因为听筒上跑的是交流信号，若只是选取一个MOS，因MOS上寄生二极管的存在，对于交流信号的关断就会失效，所以要选择两个MOS构成背靠背MOS开关。
下图展示了该背靠背MOS的驱动，也挺有意思。我们都知道，MOS的导通和关断基于VGS电压，当VGS = VG – VS ＞ VGS（TH）时，MOS才会导通。
为了满足MOS的驱动，利用电容C1两端电压不能突变特性，引入自举电路。该自举电路巧妙利用音频功放H桥上面的高频开关脉冲波和一个直流电压，将驱动电平抬上去。
这种方案后续逐渐式微，慢慢被集成芯片取代，集成芯片成本更低、占地面积更小，性能更好。
电池保护电路
还有电池保护板上的电路，如下图，电池保护板上的充电MOS和放电MOS，虽然属于背靠背结构，但需要说明的是，它们的驱动脚（栅极）没有连在一起，导通/关断行为不同步，与上面所讲述的背靠背有差异。
