造物主在构建这个世界时，很多东西被设计为单向的，比如长江、黄河从西向东奔流不息；草木扎根于土，而枝叶参天的生长；人没法倒带重来的生老病死......，总之无法逆天而行。
人生不能倒带，电路又何尝不是？下面简单探讨下LDO的防倒灌设计。
当前手机内部LDO的调整管基本上都是MOS做的，而MOS带有寄生二极管，无法完全关断。如果VOUT大于VIN，寄生二极管就会正向偏置而导通，从而形成倒灌电流。如下图，以某款LDO为例，如果你在VOUT端接5V的电源，VIN端可以检测到4.4V左右的电压。因此该芯片为非防倒灌设计，将存在倒灌的问题。
倒灌是电路设计中令人担忧的问题，可能会导致意想不到的产品故障，电流过大会甚至会烧坏这个调整管。因此有的LDO在内部设计了防倒灌（防回流）功能，即Reverse Current Protection。
那么如何设计防倒灌电路呢？我们可以直接选择防倒灌的LDO，也可以选择在常规LDO的基础上外加器件，实现防倒灌功能。
并联肖特基
如下图，在输出和输入之间并联肖特基二极管，当输出电压超过输入电压时，因为肖特基二极管的正向电压较低，会充当急先锋而率先导通，导通后便把电压钳住，LDO中的体二极管便不会导通了。
但该方法相当于转移灾祸，像找个替罪羊一样，只能实现LDO的防倒灌，不能实现电路整体的防倒灌。
串联二极管
如下图，利用二极管的单向导通特性，在LDO输入端串联二极管以防倒灌，像在路口放了个禁止逆行的牌子。
但二极管会带来压降，影响整体的低压差设计。
背靠背调整管
这是最为常用的设计，在常规LDO的基础上，额外增加一个MOS Q1，Q1和Q2构成背靠背MOS，兄弟齐心，其利断金，实现防倒灌。
当检测到倒灌电流时，Q1 MOS断开，因为寄生二极管方向是向内的（IN->OUT），所以电流无法倒灌流通。
如下图，TI的TPS7B7702-Q1 LDO便是使用此方法设计防倒灌。
特殊衬底调整管
背靠背MOS方案的缺点很明显：有两个MOS，LDO压降基本上会翻倍，影响低压差设计。因此业界还有种方案，如下图，将MOS的衬底与GND相连，而没有连接到源级，避免形成寄生二极管。这种特殊的架构省去了MOS的体二极管，又不像背靠背MOS那样整体阻抗大，因此可以实现超低压差性能+防倒灌功能。
该NMOS将在栅极被拉低时完全关断，其源极和漏极之间形成一个高阻态，从而阻止电流从输出端流向输入端。而这又是通过EN脚拉低来实现的：当EN被拉低时，内部电荷泵停止工作，栅极电荷被放掉，NMOS完全关闭。
TI的TPS7A37便是采用此方法做的反向电流保护。
