常规情况下，手机电池放电到3.4V便关机，因为低于3.4V后电池能量不可观了、就蔫儿了。
但是近几年，硅负极电池在飞速发展，该电池的一大特点是低压段的容量较为可观，因此手机厂商们开始卷“低压关机”的概念。3.4V->3.2V->3V->2.8V，后续甚至有可能卷到2.5V，最大程度的榨取电池能量。如同职场上用OKR、PBC、PIP等对待牛马，使其使尽最后一分力气。
硅负极电池在低压段的容量相较石墨负极电池高，并且在低温情况下更为明显，这一点利于北方的朋友在冬天的使用。
电池电压低意味着系统电压也低，而业界还没有形成成熟的产业链，很多芯片不能良好的工作，因此需要用一个boost电路将电池电压抬升上去。但是又期望效率要足够高，于是发展出了boost bypass电源架构。
常规Boost
常规Boost电路工作原理很简单，通过控制MOS的导通和关断，将能量储存在电感中，然后释放到输出端，产生一个高于输入电压的输出电压。
当主开关管Q1导通时：输入电压加在电感上，电感电流线性上升，储存能量；由电容给负载供电。
当Q1关断时：电感电流不能突变，产生反向电动势，与输入电压叠加后通过二极管向负载和电容供电，同时对负载供电。
但是当输入电压（Vin）非常接近输出电压（Vout）时，Boost电路会变得不容易设计。
根据Boost的基本公式：Vout ≈ Vin / (1 - D)，为了维持输出电压稳定，控制器必须将占空比D调得非常小。而控制器都是物理实体，哪能调到非常小呢？因此容易带来效率问题和稳定性问题。
Boost Bypass
抄近道！
既然输入电压已经足够高，甚至比需要的输出电压还高，那我为什么不直接把输入送到输出，绕过复杂的升压环节呢？这便是Boost Bypass的核心理念。
以TI的某款芯片为例，其内部框图如下图，它在常规Boost电路的基础上，并联了一个旁路MOS开关（Bypass Switch）。由此产生了两种工作模式（可由控制 IC 根据输入和输出电压关系自动切换）：
- 模式一：Boost升压模式，当Vin显著低于Vout时，与常规Boost电路没啥不同。此时主开关进行PWM操作，发挥正常的升压功能；旁路开关保持关断。
- 模式二：Bypass模式，当Vin约等于或者高于Vout时，进入Bypass模式。此时主开关保持关断；旁路开关保持导通。输入电流通过旁路开关直接流向负载，绕过了电感、主开关。旁路开关导通电阻Rds_on，导通损耗极低，因此电路效率极高。
Boost Bypass拓扑的优势可总结为：
- 高效率，旁路开关像个导线一样直接而高效。电源芯片的温升会显著降低，温升低也利于提高系统可靠性。
- 延长了手机使用时间，极宽的输入范围，能够cover低压输入场景的供电。又因为高效减少能量损失，直接延长设备的工作时间。
下图描述了Boost bypss芯片的输入-输出曲线和模式切换示意图，图片来自TI datasheet，仅用来描述切换过程，参数（比如输出电压等）不是手机的参数。
总结
Boost bypass拓扑像是对低压的兜底，如果把Boost bypass拓扑比作社会现象，它很像朱门对孩子的托举与兜底。他们以丰厚的资源、人脉为基础，托住孩子人生的下限，比如至少是进体制混吃等死等。
至于那充满变数与未知的上限，因为博弈太复杂了，关乎个人禀赋，但他们仍不遗余力地铺就精英之路，助其搏风云而化龙。
人无法选择出身，而人世间恶龙居多。当阿喀琉斯向天怒吼：“宙斯，你的秩序是否公平？”那一刻，不关乎生存，关乎的是人类的尊严。
