手机里面的LDO（低压差线性稳压器），其调整管要么是NMOS，要么是PMOS，但NMOS居多。
因为PMOS的载流子为空穴，NMOS的载流子为电子，电子的迁移率大于空穴。就好比同为牛马，NMOS的电子如同青壮小伙子，速度飞快；而PMOS的空穴像油腻的中年大叔，年老色衰。所以同等条件下NMOS容易把导通电阻做小，适合大电流工作的情形。
但能干的人通常脾气也大，NMOS用作调整管时，需要控制电压（Vg）大于源极电压（Vs），否则NMOS无法正常工作，或者做不出低压差的效果。
那么如何解决电压门槛呢？实现起来通常有两种方案：
- LDO内部集成电荷泵；
- 使用带有BIAS功能的LDO
电荷泵很好理解，它属于信号级的小功率升压电路，将电压抬上去给误差放大器供电，如下图所示。
那什么是带BIAS功能的LDO呢？
如下图所示，是一个典型的带BIAS功能NMOS LDO电路，它的核心原理是将功率通路和控制通路分开供电。功率通路从Vin取电，承担大电流，负责能量传输。而控制电路通路不再从Vin取电，而是从一个独立的VBIAS 取电。
以某家的LDO内部框图为例，可见VBIAS给基准、误差放大器模块供电，且VBIAS大于VIN，使得调整管Vg>Vs，可工作在线性模式。
这带来了三个关键优势：
- 更容易实现低压差，这是最显著的优势，由于误差放大器由独立的VBIAS供电，可确保在低输出电压、大电流的情况下也能实现超低压差，因而在手机里面有一席之地。
- 与NMOS电荷泵方案相比，静态工作电流更低，因为电荷泵的电压变换也是要耗电的。
- 更高的电源抑制比（PSRR），控制电源VBIAS是干净的、稳定的（通常来自一个前级稳压器，相比之下，主输入Vin的纹波和噪声通常很大），这大大提升了LDO对Vin输入噪声的抑制能力，即PSRR性能，使其非常适合为对噪声敏感的模拟/RF电路（如ADC、DAC、PLL、VCO）供电。
