在早期的功能机时代，手机耗电小，电池容量小，因此充电功率通常也很小，当时主要以线性充电架构为主。后续随着电池容量增大，充电电流也随之增大，而线性充电的效率实在是太低了，发热极为严重，故被buck充电方案取代。
内部框图
如下为线性充电IC内部的基本结构，利用MOS作为调整管对输入电压进行降压，来对系统（Vsys）供电或给电池（Vbat）充电。
优点是体积小、成本低、无电磁干扰；缺点是效率低、只能进行小电流充电。
feature
1、内部集成两组调整管，即输入端LDO AFET（Q1、Q2组成）和充电端LDO BFET（Q3）。AFET LDO输出设定的系统电压；BFET LDO控制充电电流，充电电压和温度控制环等。
2、有涓流充电(TC)、恒流（CC）和恒压（CV）充电三种充电过程：
- 涓流充电(TC)阶段，可对完全放电的电池进行恢复；
- 恒流（CC）阶段下提供快速充电；
- 恒压（CV）阶段确保达到电池满容量。
3、路径管理功能
利用MOS管（Q3），对VSYS与VBAT进行通断控制。当其关断时，充电器的输出优先给系统供电，这样即使手机电池过放，消费者插入充电器就能开机使用。当其导通时，形成了充电通路，但并不是真正的毫欧级的导通，而是工作在放大区，呈线性模式，故为线性充电。
因为路径管理功能的存在，输入适配器能同时给系统供电和电池充电，动态调整充电电流，优先满足系统用电。当系统电流增大超过输入电流限制或者是超过适配器额定电流时，输入限流环工作或输入电压VINDPM环工作，充电电流会减小，当充电电流减小到0时，芯片会自动进入电池辅助供电（supplement mode）模式，此时电池反向和输入适配器一起给系统供电。当适配器拔出时，BFET完全开通，由电池给系统供电。
4、软件通过IIC控制充电参数
在充电时，LDO BFET作为一个线性充电器，可通过IIC设定预充电电流、CC、CV、EOC、Auto-recharge、NTC监控、JEITA标准充电、充电安全时间和芯片结温控制及保护。
因为线性充电效率低，当芯片结温超过一定阈值时，充电电流会减小以降低芯片温度。
