各位看官，有没有思考过，在功能机横行的时代，当时的充电方案是什么样的呢？
MTK，江湖一哥，作为功能机时代的王者，他当时广泛使用一种基于PMOS+肖特基的线性充电方案。这套方案并没有给消费者带来太差的体验，当时的功能机充满电后放上十天半个月不充电也是稀松平常的事，哪像现在的手机一天一充都不够，像肾虚一样。
下面简要介绍下该方案，纯粹博诸君一乐，因为这些方案在当今卷大容量电池的时代已没有价值，就当手机行业的考古了。
背景
就像瘦子一般不大吃大喝，功能机时代电池容量普遍偏小，通常不需要过大的充电电流。
线性充电方案体积小、电路简单、易于使用；成本低廉；纹波和噪声小、对外辐射的噪声小。但是当充电电流大时，功耗很高，发热严重，故适合应用于小容量电池、小充电电流的项目。
PMOS线性充电方案是指使用一个PMOS作为调整管，搭配控制电路（运放和基准源等），构成一个完整的线性充电电路。使用PMOS时，栅极给个驱动信号就能控制，手机主板上电压多为3V左右，因此能轻松实现恒流控制。
那为什么不用NMOS呢？
如果使用NMOS作为高侧开关，为了使其充分导通（Vgs > Vgs(th)），栅极电压必须高于源极电压。这就需要额外的自举电路来产生一个高于Vin的电压，这便使电路复杂化了。此时的NMOS就像个高冷女神，非要额外用自举电路哄着才会理你。
电路图解析
如下图，电路核心是PMOS+肖特基二极管，PMOS能够控制充电电流的大小，肖特基二极管能够防止电池通过PMOS的寄生二极管倒灌。
VCHG即为VBUS，PMIC芯片通过CHRIN脚检测充电器插入。
R316为100ohm电阻，是为了防止外部浪涌打坏PMIC。
系统通过GATEDRV控制PMOS的VGS大小，来控制充电电流，VGS不同，通过MOS管的电流也不同。
请看下图PMOS的曲线，有恒流区的概念。当|Vgs| ≥ |Vgs(th)|，且|Vds|≥|Vgs-Vgs(th)|时，就会工作在恒流区，ID的大小主要取决于Vgs。此时PMOS输出特性为受控电流源，为电池提供恒流充电。
但PMOS内部存在一个寄生二极管，如果没有防倒灌措施，会导致非充电状态下，VBAT往VCHG灌电流，可能会带来意想不到的故障。因此增加一个大功率肖特基二极管防止倒灌，但代价是带来一定的压降和发热。
电流采样电阻两端连接到AP的ADC，AP能够计算出充电电流，然后驱动PMOS进行恒流控制，或者进行过流处理。
充电过程
首先看预充电，因为预充电时，手机的软件没跑起来，有点像植物人不能咀嚼，只能喂流食一样。来自AP的CHG_EN信号为低，此外AP的ADC也无法进行电流采样，故PMOS管处于关断状态。但ISENSE管脚额外集成了小电流驱动功能，此时可进行小电流充电，电流值计算为0.01V/0.33ohm=30mA左右。
当电池电压被充到高于3.2V时，手机软件启动，CHG_EN输出高电平，GATEDRV脚开始输出电压，控制PMOS进行充电。芯片检测ISENSE处电压，看是否为160mV，若过大则提高GATEDRV电压，若过小则降低GATEDRV电压。
恒压充电同理，亦有软件负责切换为恒压充电，并进行软件截止。
总结
展讯也有类似的充电方案，都是一个师父教出来的，充电套路都差不多，其PMIC框图如下图，可供参考。
这些方案虽已退役，但对于电子爱好者来说，可能还是挺有趣的，故加以记录。
