基于USB规范和工程实践经验，VBUS通常安排一个介于1uF和10uF之间的电容，手机上则使用一个1uF/35V的陶瓷电容作为VBUS母线电容。
为什么有这种规定，并且是个范围值，即既有上限限制，还有下限限制。
USB是一种支持热插拔的技术，在插入设备时，手机上的VBUS电容会急剧吸收电流，形成一个电流尖峰。如果VBUS电容过大，则浪涌电流很大，可能导致Source端的电源芯片过流保护，也可能因大电流产生火花（电弧），导致连接器触点损坏，或对手机内部其他模块产生电磁干扰的风险。
如果头铁，就是想设计大电容，则需要配备浪涌抑制电路，通常有：
- 缓启动（Soft-Start）电路，使用一个MOSFET和缓启动控制器，在插入时缓慢打开MOSFET，逐步给大电容充电，限制浪涌电流。
- 热插拔控制器（Hot-Swap Controller），集成了电流检测、限流和短路保护功能的专用芯片。
如果VBUS电容过小，则有下面两种疑虑：
- 在充电突然断开时，由于线路的寄生电感，存储着感性能量，可能会产生较大的感生电压，较大的容值可以吸收感生电压。
- 或者当电流突然增加时导致VBUS更大的瞬态跌落，电容在这里起到了滤波和缓冲的作用（像个水塔一样）。
为了避免上述情况，才有了最小1uF的规定。
工程实践方面，除了VBUS母线电容1~10uF容值设计，Type-C连接器侧的4个VBUS pin也可对应放置nF级的电容。
如下图，这些10nF/35V电容器有助于滤除高频噪声，吸收短时间的电压瞬变，可以降低2~3V的电压尖峰。
