天下九塞 ，雁门为首。出了雁门关，便是塞外牛羊的辽阔天地。
作为天下雄关，雁门失守则太原危矣，太原陷落则华夏腹地（长安、洛阳、汴京）震荡！
在这里，你仿佛能看到名将李牧、蒙恬、卫青、李广与匈奴的厮杀，昭君出塞时的哀婉，杨家将浴血奋战的坚贞。
而在手机主板电池BTB的I2C信号防护上，有一种流派用MOS做防护，进可攻、退可守，与关隘的性质极为相像，试着为诸君讲述下。
防护背景
在手机电路设计中，手机主板和电池通过BTB扣合相连，该BTB端口涉及信号脚（I2C）和功率脚（VBAT），而信号脚是连接在了平台的AP上。
我们都知道，AP作为处理器，非常昂贵和娇弱，如果它的GPIO口和外设相连，要特别注意防护，防止外部直流高压、浪涌或静电窜过来打坏AP。
如下图，如果不做防护，AP和电池BTB的I2C走线直连，那么产线在扣合电池BTB的时候，容易有如下风险：
- 扣合动作引入静电，然后将AP的I2C GPIO打坏；
- 电池扣歪（扣偏）了，把AP的I2C GPIO扣合到了电池的VBAT上，导致出现浪涌。
故需要在此处设计防护电路。
串电阻防护
最简单的防护方案就是串电阻，电阻可以起到限流的作用，阻碍电应力损坏AP。
电阻阻值不能选的过小，也不能选的过大。过小的话，限流作用差，防护效果差；过大的话，在正常工作时，会分得一定的电压，影响I2C通信的电平，使电路不满足I2C通信规范。
工程实践来看，选30欧姆左右的电阻，就能起到不错的效果。
但这种方案存在的缺点是：
- 手机低压化趋势的发展（GPIO电平1.8V、1.2V......后续可能更低），电池电压与GPIO的电压差距越来越大，势必要增大串联电阻。
- 如果电池BTB扣偏，并且维持了较长的时间，则仍然可能给AP带来损害。
所以有的手机公司采用了MOS隔离的方案，即下面的方案。
MOS隔离方案
如下图，使用2颗MOS做隔离。
如果电池BTB没扣合好（扣歪），VBAT就不会给系统供电，那么VBOB电源（属于平台上电时序中的电源）就不会起来。VBOB电源不起来，则MOS的VGS便达不到VGS(th)，就不会导通。相当于城门紧闭，即使扣偏产生浪涌，也不会传导到AP，把敌人用MOS给隔绝开了。
而如果电池BTB扣合OK，则VBAT可以正常给系统供电，VBOB随后起来（约为3.5V左右），不管此时I2C管脚上是0V，还是1.8V，均可以使VGS大于VGS(th)，从而使得MOS导通，I2C通路正常工作。
这里的MOS要选择信号MOS，信号MOS的VGS(th)能做低，能做到0.5V左右的电平即可，如下图所示。
细细想来，使用MOS做隔离的方案与关隘真的很像，关隘可以隔绝敌人、但利于自己的军事行动，即关隘的阻隔作用是单向的。
而MOS的阻断特性亦是单向的，故这个方案有个缺陷：如果BTB扣合产生的是负向浪涌，防护效果将打折扣，因为负向的浪涌可以使MOS寄生二极管导通。
但实践来看，产线的BTB扣合几乎未在I2C管脚上产生负压，故该方案是可行的，实际用下来也是有不错收效的。
总结
雁门关北通大同，南达太原，进可攻辽阔草原，退可守千里关中。但随着中国后续疆域的扩大，雁门关变为内长城，雄关遂逐渐失去了军事上的意义。
但这掩盖不了它曾经的壮阔史诗，戍边保民、舍己为国、愿为一战。留传属于男人的忠贞不渝的浪漫，如烽火般炽热。
回头看职场垃圾时间，那些为资本所推举的绩优主义、末位淘汰、35岁优化，以及那些猝死且无名的程序员、工程师，不过是道无声的血泪罢了。
