渔阳鼙鼓动地来，惊破霓裳羽衣曲。九重城阙烟尘生，千乘万骑西南行。 - 唐·白居易《长恨歌》
唐玄宗时，因天下承平日久，民不知战。 及安史之乱，仓卒变化间，长安沦陷、玄宗出逃、贵妃身死。
而这一切并非没有先兆，玄宗先成后败，掌权后期长时间身居宫中，以声色自娱。在边关兴战事，广封节度使，任用番将，宠幸安禄山，任其坐大。朝堂上纵容杨国忠，使忠良隐匿，志士怀才不遇（甚至到河北藩镇才能受到重用）。
天宝后期，节度使权力不断加大，集军、民、财三政于一身，近似到大权独揽、生杀独断的地步。边关地区十个节度使拥兵四十九万，而中央禁军不过十二万。节度使制度深刻影响了中国历史进程，可谓是五代十国、乱世分裂的前奏。
手机中模块众多，但它们大都通过电源连接在VSYS网络（也叫VPH_PWR）上，个个独挡一面，角色像节度使般。VSYS网络好比中央，某些模块出现异常时，不排除有损坏中央的可能，故在进行防护设计时，需要重点在VSYS/VBAT上做防护工作。
当前的防护方案是在VBAT和VPH_PWR这两个网络上放置TVS管，利用TVS管的快速钳位特性，将瞬时高压钳位到一个安全水平，从而保护昂贵、娇弱的芯片。
下面简要讲述下VSYS TVS和VBAT TVS的防护机理。
VSYS TVS
如上图，VSYS是由充电PMIC（Buck充电IC）产生的，它为射频功放、音频PA、马达驱动、其他PMIC等大功率部件供电。但是在特定场景下，VSYS可能受影响而产生高压，从而威胁挂在该网络上的所有器件，总结下来有如下几个场景：
- 负载瞬变：当负载瞬态变化时，根据电感电流不能突变的原理，供电线路上的寄生电感会产生一个电压尖峰（V = L * di/dt），这个尖峰会沿着VSYS线路传导。短路关断是一种极致的负载跳变，因为短路时电流很大，随后触发短路保护，瞬间关断，容易产生极高的尖峰电压。
- Type-C口的浪涌传导：VBUS端和VSYS端之间有两个模块，即电荷泵充电模块和BUCK充电模块。尤其是电荷泵，为开环架构，VIN端一有动静，VOUT端可能跟风传导过来。
- 强电磁辐射：现在流行用EMP（电磁脉冲）打无人机，同理，你打在手机上试试，VSYS为公共节点，这些能量可能耦合到VSYS网络上。
当前通常在VSYS网络放置TVS做防护，在正常情况下，TVS呈现高阻抗，对电路几乎没有影响。一旦VSYS上的电压因上述原因产生电压尖峰，TVS会瞬间（纳秒级）变为低阻抗，将能量泄放到地，防止系统复位或硬件损坏。
因为VSYS网络负载瞬态变化快，产生的电压变化速率（dv/dt）也快，所以要求此处的TVS响应速度要快；此外，VSYS的电压本身在3.2~4.5V左右，TVS工作电压VRWM必须高于VSYS的最高工作电压（包括浮充电压）；此外，还要求TVS有足够低的钳位电压，才能保证在过压发生时，钳位后的电压仍在芯片的可承受范围内。
VBAT TVS
VBAT端的TVS主要防护在装配、维修或用户扣合电池等场景下，人体或工具的静电可能通过电池BTB进入手机主板。
除此之外，手机受到剧烈撞击或振动时，电池连接器（BTB）可能发生瞬间的接触不良或弹跳，导致回路被强行切断，从而导致线路的寄生电感产生一个很高的电压尖峰。
而TVS能够吸收并消耗掉这些瞬态的能量，防止其冲击到后级的器件。
此处的TVS选型要点为：钳位电压Vc必须低于后端芯片的最大可承受电压（绝对耐压）值；功率可根据可能遇到的浪涌等级（如IEC 61000-4-5）来选择，确保能承受预期的浪涌冲击而不损坏。
早期的MTK项目上，MTK曾推荐用5.6V齐纳二极管作为VBAT钳位器件，以保护后级芯片。
但现在，基本上没有项目用齐纳管了，因为TVS的响应速度更快，而且是专门为吸收瞬时大功率能量而设计的，能承受千瓦级的脉冲功率。
总结
失衡会导致乱世，TVS管相当于御林军，对节度使保持压制，保证手机的稳定与可靠。
好好的一台机器为什么会变砖？黑色、冰冷没有反应。
你见过降本增效打TVS管主意的公司吗？可有好果子吃？毕竟售后数据、用户口碑不会骗人。
