应网友需求，下面讲述一下充电IC VINDPM概念，这个概念业已问世很长时间，并不新，但是它处理问题的思路却很有趣。技术背后的思想是互通的，也许在某一天，在另一个问题上，该思路可能启发到你，说不定就用上了，故在此介绍下。
背景
我们首先要知道，手机的充电器和充电线在市场上可谓五花八门，类型众多。除了标配的充电器，USB端口或太阳能发电板等各种电源都有可能是充电源，但这些源有强弱之分，不可不察也。就像这人世间，有人能举铁100kg，有人却连瓶盖都拧不开。
充电器能力差却要承担大电流，就会陷入小马拉大车的窘境，不仅马累趴，车也可能翻，在充电时可能会出现如下问题：
- 充电器被过载拉死（OCP保护），然后撂挑子不干了；
- 充电器因过载导致输出电压跌落，触发充电IC VIN的UVLO，这时候充电IC就不干了。
如下图，由于充电器能力弱，充电IC的VIN因过载而跌落，持续性地触发UVLO，充电由此异常。
VINDPM，输入电压动态电源管理，是充电IC上的一种电源管理机制，由TI公司给出，就是旨在保护输入电源免受过载影响而生的。
其功能可以更为细致的总结为：
- 防止充电源过载：当充电源的功率不足以满足手机需求时，VINDPM环路动作，重新设置输入限流点，保证充电器的输出不被拉的更低。
- 最大功率寻找：VINDPM通过调整限流点，使充电源在最大功率点附近工作。这对于太阳能发电板等高阻抗电源尤为重要，因为它的输出电压和电流会随负载变化而变化，我们要榨出它的最大能力。
- 动态电源管理（DPM）：如果充电源无法同时满足系统供电和电池充电的需求，VINDPM环路会触发DPM，使充电源优先为系统供电。
VINDPM的工作原理
一个充电IC内部有很多控制环路，而VINDPM就是其中一个，其框图如下图，红圈就是所谓的VINDPM环路
VINDPM环路通过分压电阻R1、R2实时监测输入电压，当输入电压因过载而跌落到预设的VINDPM阈值（VREF）时，VINDPM环路便会动作，这时充电IC输入限流值便会被重新设定，如下图所示。
此时对应的限流点基本上就是充电器的最大能力了，为了保险起见，可以把该限流值再稍微调低一个档位，这样更为稳妥，而这就是TI的Input Current Optimizer （ICO）概念，在此不详细解释。
VINDPM除了对充电IC的输入进行限流，也能够根据系统负载的变化，动态调整充电电流，使能量优先供给系统。如下图，datasheet中说的很明白，VINDPM环路（对应输入电压）和IINLIM环路（对应输入电流）都能使DPM动作。
波形实测
如下图，你配置了一个超过充电器输出能力的充电电流，由于过载，充电器输出电压被拉低，当拉低到设定的阈值时，VINDPM环路动作，输入限流值会被重新配置，防止进一步把充电器拉的更低。
除此之外，还有另外一种实验方法，如下图，可以人为在充电线缆上面增加一个电阻，用于模拟阻抗比较大的充电线，然后验证VINDPM的功能。
如上图，可见如果外加的电阻较小，则经过VINDPM环路作用后，配置的充电电流尚可；而如果外加的电阻较大，则经过VINDPM环路作用后，配置的充电电流就偏小了。
该过程就好比在健身时试探杠铃，你会慢慢加码，当发现加到一定重量时呼吸困难、双腿发抖，那么你就会及时止住，因为你摸底到你的最大能力了。
其他
高通和MTK也有类似的概念，以高通的buck charger为例，高通命名为AICL（自动输入电流限制）。
如下图，展示了AICL的工作过程。初始充电电流配置为500mA，随后逐渐增大，当增大到使输入电压跌落到V_AICL门限值时，便认为充电电流达到最大值，便不再增加了。
V_AICL门限值取V_AICL寄存器和VBATT+180mV中的最大值。
总结
电路设计很公道的，不逼大力士绣花，也不逼秀才去扛鼎。
但在手机公司，VINDPM用的不多，有的厂商甚至不使能这个功能，或者配置为一个极低的参数（比如5V充电时配置为4.2V），实际根本不会触发VINDPM。
手机公司更多的是根据充电器类型直接配一个输入限流值，这个值的触碰更为可靠、更为直接。
