在阅读Buck充电IC datasheet时，通常能看到IRCOMP字样，以TI的BQ25890H举例如下图，这其实是一种工程实践上对充电时长的优化。
充电是基于具体的物理实体，而物理世界从来不是纯洁无瑕的，不可避免地存在各种寄生参数。比如走线，那就不可避免的存在阻抗。小电流充电时可能不需过多考虑，但在大功率充电场景下，便不可不察了。
为了优化走线阻抗对充电时长的影响，手机上的充电芯片上发展出了IR压降补偿功能。
背景
如下图，充电IC的输出到电芯的路径上横亘着各种各样的阻抗，像是公司里面擅长各种摸鱼的同事一般，包括但不限于：主板PCB走线电阻、电池连接器阻抗、电池FPC走线阻抗、电池保护板PCB走线阻抗、电池保护板上MOS的Rdson阻抗。
这些阻抗在大电流充电时能形成显著的压差，从而导致充电IC输出端检测到的电池电压不准确，会叠加一个偏差ΔV，即检测的电压为Vcell+ΔV，其中，Vcell为电芯电压，偏差ΔV = I_chg * R_total。
如下图所示，因为检测到的电压偏大，会导致充电IC提前进入CV模式，此时电芯电量虚满，CV模式充电电流又小，故导致满充时间加长。
方案一 - 基于压降的补偿
接下来便涉及到补偿，损耗多少，就补多少呗，这是最为常见的方案。
充电IC知道自己的输出电流I_chg，然后根据设定的总阻抗值R_total，计算出当前的ΔV电压降为：ΔV = I_chg × R_total。
然后将输出电压提高到Vout + ΔV，即补偿ΔV电压，加到目标输出电压上。
但这个方案的缺点是，需要准确评估R_total，如果不准确，则会导致补偿不足或过度补偿，补偿不足尚可接受，过度补偿则会带来过充，就像开车油门踩过头一样，危害性非同小可，充电充到爆炸，那就真成爆款了。
添加了IR补偿功能的充电曲线如下图所示，可见能够有效缩短满充充电时间。
方案二 - 基于远端采样
除了在寄存器中设定补偿值，业界还有种基于远端采样的方案，这种方案更精确、更可靠，常用于对电压精度要求极高的场合。
如下图，其本质原理与“开尔文走线”的概念相同，通过独立的“感应线”连接到电芯。
- VBAT_SNS_P，采样电芯的V+；
- VBAT_SNS_M，采样电芯的V-；
感应线上几乎不流过电流，因此其上不会产生显著的电压降，那么充电IC读取的便是电芯的素颜，即真实电压。
需要说明的是，对于电芯V-端的采样，还要涉及电池保护IC的配合。
如下图，以MITSUMI锂保IC为例，其内部有个开关，开关闭合后，手机主板端便可以sense电芯的V-，绕过了锂电池保护板上的MOS和PCB走线。
充电IC以此sense到电芯电压，进行CC/CV调整，从而优化充电时长，可谓YYDS。
这个方案与方案一相比，就像顺丰快递和普通快递的区别，准是准，但是得加钱！它就像铺设了一条VIP通道一样，引入了额外的走线、额外的Pin脚、可能还涉及额外的芯片定制等等，适合具有钞能力的土豪。
