在技术领域，架构的设计通常更具思想性，更能展现人类的智慧，诠释了想象力比知识更为重要，知识是基础，但脑洞才是引擎！
手机上的NVDC架构和高性能笔记本上的HPB架构，是两种截然不同的路径管理方案，选择NVDC还是HPB，要在设计之初根据其市场定位和核心诉求做出抉择。
手机偏爱NVDC，因为NVDC在能效、成本和体积上找到完美平衡。
但对于不惜一切代价追求巅峰性能的高性能笔记本，HPB是必不可少的基石。它通过更复杂、更昂贵的架构，释放更为强大的功率。
两者的示意图如下图：
HPB架构
HPB，Hybrid Power boost的缩写，广泛应用于高性能笔记本，HPB架构的特征在于适配器的输出直连系统供电，外加一个buck/boost变换器。
当仅有电池存在时，BATFET Q3导通，允许电流从电池流向系统，给系统供电，这没什么好说的。
但当接入适配器后，Q3关闭，适配器的输出一方面给系统供电，另一方面通过Buck变换器为电池充电。
而当负载抽载过大，适配器不足以提供这么大电流时，充电IC则转换为boost模式，将电池电压升压至20V左右，与适配器一起给系统供电，而这就是“Power Boost”的含义，也被称为涡轮增压。此时BATFET仍是关闭的，可见：
- 系统的供电独立于电池电压，系统总线可以维持在一个稳定的、较高的电压，以确保CPU/GPU能获得充足的电力。
- 系统电压不仅高，而且系统功率 = 适配器功率 + 电池boost后提供的功率，即系统功率强。
这使得笔记本可以在短时间内突破适配器的功率限制，实现性能爆发，好比小轿车装上火箭推进器一样！例如，一个230W的适配器，配合电池，可以瞬间提供280W的总系统功率。
但HPB架构的复杂度高、成本高，需要额外的功率路径管理和更复杂的电路设计。
需要补充说明的是，HPB架构更多的搭配DC-3.5mm的笔记本适配器。而当笔记本适配器更新换代为Type-C口时，架构会随之更新。因为Type-C协议规定VBUS要支持5V，所以这种笔记本可能选择其他的架构。
NVDC架构
与HPB的豪放不同，NVDC（Narrow Voltage DC）架构则更精明一些，一切为了省电、省钱、省空间！
与HPB架构最大的不同是，NVDC架构中，适配器的输出并不直接连接到系统，而是引入了一个Buck，通过Buck连接到系统。
如影随形一般，VSYS被设计为紧紧跟随电池的电压。例如，一个典型的锂电池电压范围是3.2V - 4.45V，那么Vsys可能被设计在3.5V - 4.5V这个狭窄的范围内，这也是“Narrow Voltage”，NVDC名称的由来。
当仅有电池存在时，BATFET（Q3）打开，电池为系统供电，此时与HPB架构没啥区别。
但当插入适配器后，适配器的输出经BUCK变换后为系统供电并向电池充电。适配器优先给系统供电，剩余的电流才给电池充电，电池仿佛在跟系统说：“老板先吃，小弟等等！”。
而当系统抽载过大，甚至停掉充电都无法满足系统电流时，系统电压便会被拉低，如果拉低到低于电池电压，充电IC便会进入BSM模式（battery supplement mode），此时电池状态由充电转换为放电，和Buck一起参与对系统的供电。
优点：
- 和HPB相比，由于VSYS电压较低，因此可以选择耐压低的器件，体积小，成本低。
- 适配器的输出和手机系统电压之间的压差小，效率可以做高，能效好。
缺点：
- 和HPB相比，由于VSYS电压经过了一道Buck变换，VSYS电压较低，功率释放能力弱于HPB。
