绿厂是直充技术的开创者和引领者，绿厂对该技术的研发、市场推广均可称为行业标杆。
偶然在网上看到过绿厂初代直充电路的电路图，清晰度一般，但勉强也能看清，于是尝试对电路图做解读，本人内心尊敬踏实做技术的企业。
怕读者不懂，在此先简要介绍下直充。direct charge，顾名思义就是“直接充电”。“直”体现在充电器的输出直接进电池（当然中间还有个负载开关，但阻抗很小，仅起到控制通路通断的作用），手机端无降压变换过程。因此实现了超高的效率，减小了充电发热，缩短了充电时间。此外，因为效率很高，如果用户边玩手机边充电，不烫手！
下面分模块进行解读。
快充控制单元
STM8单片机作为主控。
电荷泵倍压电路
因为直充背靠背MOS是位于高端的，MOS的栅极电压必须比源极电压高才能控制MOS的通断，因此需要把VBUS（USB_VCHR）电压泵上去，作为栅极电压。
绿厂使用了电荷泵倍压电路，为了方便叙述，以下将二极管的压降忽略。
A点，MCU的CLK_OUT输出频率为1MHz，占空比为50%的方波，电平大小约为VBAT（单片机由VBAT供电）。方波为低时，USB_VCHR通过R2906、D2902给C2903充电，将C2903两端电压约充到VBUS；方波为高电平时，因为C2903电容两端电压不能突变，导致B点电压抬升，约抬升至VBUS+VBAT的电压。
B点电压再通过D2903进入RC电路（RC的时间常数远大于方波周期），随后变成平稳电压，约为7~8V。综合下来MOS的VGS约为3~4V，便能正常控制MOS了。
防反接电路
防反接电路就像门卫一样防止坏人进入，原理如下：
反接时，USB_VCHR将为负压，那么下图中的防反接背靠背MOS因为VGS>vth而导通，使得直充背靠背MOS的VGS=0，直充背靠背MOS关闭，从而关断直充。
防误导通电路
为了防止扣电池或者插入适配器时，直充MOS误导通，当电池和适配器电压存在时，必须首先确保直充MOS是关闭的。
VBUS和VBAT均有通过电阻和二极管连接到Fast_switch网络，即V2905的栅极。VBUS和VBAT任何一个在位都会导致V2905导通，从而使直充MOS关断。
MCU通过发出的Fast_switch高低电平来控制V2905 MOS，从而控制直充MOS的开通关断。
