Level shifter ，电平转换器，就是将信号的电压（电平）一个电压域切换到另一个电压域，为什么需要电平转换？
手机AP更新换代，在低压化的趋势下（低压意味着更高的集成度、更低的功耗），GPIO的电源域从3.3V、1.8V一步步走到1.2V，后续甚至更低。而SIM卡，当前常用的有B类（3V）和C类（1.8V）卡。
AP和SIM卡电源域不同，现代手机必须兼容不同电压的SIM卡，电平转换器能够帮助实现两者之间的通信。
电平转换原理
电平转换的核心任务是在不改变信号逻辑（0还是1）的前提下，将信号幅度从一个电压域转换到另一个电压域。而且SIM卡与AP之间是双向通信，并且涉及到好几个脚（有来自AP的单向时钟CLK、复位RST，也有双方双向的I/O线）。总结下来就是：同相、双向、多管脚。
最简单的，我们可用MOSFET的自动双向电平转换电路来实现这个功能，其典型电路如下图所示：
电路中NMOS属于核心元件，要求其阈值电压Vth较低，且其栅极（G）、源极（S）、漏极（D）的耐压值足够。
但在现代手机中，这个电平转换功能通常不用上述分立电路来做。因为占地面积、性能、成本都不是最优的，而是被集成在一个专门的芯片中，这个芯片叫做Level shifter IC，如下是电路示意图：
当信号从AP端向SIM卡端传输时, 传输路径如下图所示：
当AP端电平从低电平到高电平变化时，Rising edge detection模块检测到信号的上升沿后经one shot电路进行脉冲整形，随后驱动推挽电路中的MOS管Q1打开，IO_sim端上呈现VCCB电平；当AP端电平从高电平到低电平变化时，Direction Control Circuit电路驱动MOS管Q2打开，IO_SIM呈现低电平。这样就实现了从AP到SIM卡端的电平转换。
当信号从SIM卡端向AP端传输时, 信号传输路径如下图所示：
当SIM端电平从低电平到高电平变化时，Rising edge detection模块检测到信号的上升沿后经one shot电路进行脉冲整形，随后驱动MOS 管Q3 打开，IO_HOST端呈现VCCA电平；当SIM端电平从高电平到低电平变化时，Direction
Control Circuit电路驱动MOS管Q4打开，IO_HOST端呈现低电平，这样就实现了从SIM卡端到AP端的电平转换。
RST、CLK信号电平转换过程同理，只实现信号的单向传输，内部框图更简单，在此不多加赘述。
