主父偃说上（汉武帝）曰：“今诸侯或连城数十，地方千里，缓则骄奢，易为婬乱，急则阻其强而合从以逆京师；以法割削之，则逆节萌起；前日晁错是也。今诸侯子弟或十数，而适嗣代立，余虽骨肉，无尺地之封，则仁孝之道不宣。愿陛下令诸侯得推恩分子弟，以地侯之，彼人人喜得所愿；上以德施，实分其国，不削而稍弱矣。” - 《资治通鉴·汉纪》
汉景帝时，御史大夫晁错提出 “削藩策”，结果引发七国之乱，天下动荡。而武帝时换了一种思路，用主父偃之谋，令诸侯以私恩裂地，分其子弟。诸侯王们即便知道这是武帝削弱自己的手段，却也无法拒绝众多子孙们殷切的目光。由此，原本庞大的诸侯国被不断切削，零散不一，几代之后，再也没有对抗中央的实力。汉帝国由此中央集权，蓄力发展经济，为北击匈奴、南伏百越，展露汉家武功军威提供了经济基础。
在LDO的设计上，也有一种被称为“缓启动（soft-start）”的feature，如下图，可在datasheet中看到。它与汉武帝的推恩令在本质上极为相似，均是通过一个渐进、温和、结构化分解的过程，来规避剧烈冲突，实现结果稳定和可控。
LDO缓启动背景
我们首先回顾下裸奔型（不带缓启动），即最基本的LDO的工作过程。
如下图，当输入电压上升到最低工作电压时，LDO开始工作，基准电压Vref首先建立，此时误差放大器检测到Vfb远低于Vref，就会驱动MOS管，试图完全打开调整管，将Vin全力灌向输出，以使Vfb达到Vref的水平，这便是闭环反馈控制。
于是，这种裸奔型LDO有如下问题：
- 内部电路的延迟等因素可能会导致输出电压过冲，如下图所示，而超过负载电路的额定电压则可能带来损坏。
- 此外，当 LDO开启输出电压时，由于输出电容Cout上没有电荷，对地相当于短路状态，会有很大的浪涌电流流入/流出LDO，直到把Cout充满电。
- 其三，如果Vin走线阻抗较大，那么浪涌电流便会在该阻抗上产生较大的压降，使LDO看到的Vin较小，有触发UVLO的风险，使LDO无法输出正常的电压。
而缓启动（也称软启动）便是为了限制浪涌电流而生的，可以规避上述情况发生，当前大多数LDO芯片均集成了该功能。
LDO缓启动原理
其核心机理是：上电时，LDO主动地使其输出电压从零缓慢地上升到目标电压，而不是瞬间建立。
那么具体是如何实现的呢？
最为常用的方法是参考电压斜坡法。
如下图，以AW37283BXXX-Q1芯片的内部框图为例，可见在误差放大器的同相输入端，除了Vfb，还有一个Vramp输入，此即为一个可控的斜坡发生器，我们称为ramp斜坡模块，它将用来实现缓启动。
缓启动大致可分为三个过程：
- 刚上电时，ramp模块占据环路控制权，初始时Vramp = 0，误差放大器便认为输出电压为0V，因此MOS调整管几乎处于关闭状态。
- 然后随着Vramp线性升高，EA的目标电压也随之升高，于是它缓慢地驱动调整管，使Vout跟随Vramp的斜率上升。
- 当Vramp达到最终稳定的Vref值时，斜坡结束，电路进入正常的、以Vfb为反馈的稳压调节模式。
可见，缓启动是通过控制反馈环路的目标电压，人为地在“开”的过程中加入慢动作，降低输出电压的上升斜率。
根据浪涌电流的核心公式：I_inrush = C_out * (dVout/dt)，减小了dVout/dt，便能直接限制 I_inrush。
LDO缓启动波形
某款LDO芯片实测缓启动过程如下图，平稳有序，无剧变波澜，更为优雅。
总结
段永平曾说过“慢即是快”，软启动亦暗含了这种智慧，用温柔的上升曲线，化解了万马奔腾、瞬间冲刺的风险。
如果电源系统较为庞杂（如手机电源系统），或者电源上有大容量的负载电容，则必须选择带有缓启动功能的LDO，以规避稳定性风险。此外，在某些重要的应用中，还要根据数据手册设定合适的缓启动时间（某些芯片软启动时间是可编程的，或者可用电容设定）。
