及母卒，仲子乃使政（聂政）刺侠累。侠累方坐府上，兵卫甚众，聂政直入上阶，刺杀侠累，因自皮面抉眼，自屠出肠。韩人暴其尸于市，购问，莫能识。其姊嫈闻而往哭之，曰：“是轵深井里聂政也。以妾尚在之故，重自刑以绝从。妾奈何畏殁身之诛，终灭贤弟之名！”遂死于政尸之旁。 - 《资治通鉴》前397
严仲子与韩国国相侠累有仇，他找到聂政，与之结交，用黄金给聂政母亲祝寿。聂政因为母亲在，婉拒刺杀任务。等到母亲去世后，无牵无挂的聂政感念于严仲子对自己的看重，前往韩国，孤身犯险，冲入重围，在光天化日之下杀死侠累。完成刺杀任务后，竟自毁面容、挖眼剖肠，避免连累在世的亲人（姐姐）。但姐姐也是大义，不顾生死，认出弟弟，最终也死在弟弟身旁。
中国古人把名节、情义、荣誉，看得比自己生命都重要，舍生忘死，践行士为知己者死的理念。
而今，在电子产品防护设计中，TVS就像聂政一样英勇无畏，可为知己而死。但其布局和走线细节对于防护效果至关重要，不合理的布局走线将大大削弱保护效果，甚至使保护功能完全失效。相当于你不了解志士，埋没了聂政的英勇。
在TVS布局走线设计上，至少有如下几个重点需要关注下，下面简要介绍下。
TVS放置位置
某手机项目在做Type-C口浪涌测试时，在注入30V浪涌后，D+/D-上的芯片给干坏了，给揍了个鼻青脸肿。经过一番定位，是TVS（带Snap back）放在了主板上所致，没出面保护芯片，如下图所示。
由于防护器件距离Type-C端口较远，中间有FPC走线。FPC走线存在阻抗，便限制了TVS上的电流，使之无法基于正反馈构成骤回效应，便无法触发TVS Snap back的低Vc钳位，致使有较大的残压，相当于没有起到保护作用。
这是一个典型的负面例子，TVS一定要靠近端口放置，否则它就不钳位。基本上每个公司都有相关checklist，这种checklist不是空穴来风，在设计中一定要坚守！这样才能确保瞬态能量第一时间被TVS引导到地，形成最短的泄放路径。
避免走线前置
一定要保证TVS是浪涌高压进入手机后第一个看到的器件！使浪涌能量率先经过TVS泄流、钳位。
如下图，某些项目因为布局走线方面的限制，浪涌电压进入电路后，没有经过TVS就产生了分支。而这个分支导致模块2的走线前置，TVS后置，模块2容易因浪涌损坏，防护效果大打折扣；而模块1可以被TVS正常保护。
最低阻抗原则
浪涌电流都是几十上百安的，因此走线的阻抗极为关键，要保证路径短、走线粗、下地充分。
相比V+走线，地回路较为隐蔽，但TVS地回路非常关键，TVS的泄放能力不仅取决于其自身，也取决于它到地平面的回流路径，这条路径必须极短且低阻抗。
如下图，浪涌能量经过TVS产生一个钳位电压V1，然后再流经寄生参数产生压降V2，后端电路看到的残压便是V1 + V2。寄生参数实实在在地增加了V2的残压，容易对一些耐压值较差、容差范围大的器件产生影响。
因此走线上，常常需要注意：
- V+端保持宽而短的走线，最好走在表层，避免使用不必要的过孔，因为过孔本身会引入寄生电感。
- 下主地，下地的过孔能打多少就打多少，多个过孔并联可以减小寄生电阻和寄生电感。
散热考虑（针对大功率TVS）
对于用于电源线上面的、功率较大的TVS，需要考虑散热。可以在TVS下方的PCB层，铺设一个大铜皮，并通过多个过孔将TVS的焊盘与这个铜皮连接起来，有助于增加散热面积，将TVS工作时产生的热量快速传导出去。
总结
路径最短、走线最粗、位置最近端口、TVS前置，遵循这些规则，TVS才能像聂政一样，在实际电路中发挥出数据手册上标称的保护性能。
对TVS理解不够深，或者重视程度不够，觉得过了浪涌测试就万事大吉，是不行的，否则售后表现会像个照妖镜照着你，售后数据不会骗人。
